Санкт-Петербургский Дом Книги
ИНТЕРНЕТ-МАГАЗИН:
(800) 555-08-42
СПРАВОЧНАЯ СЛУЖБА ДОМА КНИГИ
НЕВСКИЙ, 28:
(812) 448-23-55
Купить книгу Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения.
  • Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения.


  • Автор: Таперо К.И. и др. ISBN: 978-5-9963-0633-6
    Издательство: М.:БИНОМ. ЛАБОРАТОРИЯ ЗНАНИЙ Год издания: 2012
    Вес: 385 гр.
Отсутствует в продаже


ОПИСАНИЕ

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.
Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.







«Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения.» из раздела «Электроника. Радиоэлектроника.» — издание, которое часто покупают как для домашней коллекции, так и в подарок. Всё благодаря высокому качеству полиграфии и яркой визуализации, которые являются визитной карточкой издательства «М.:БИНОМ. ЛАБОРАТОРИЯ ЗНАНИЙ». Таперо К.И. и др. — интересный автор, уделяющий особое внимание общей концепции и проработке содержания. Поэтому книга стоит своих денег. Доставка осуществляется курьером по Санкт-Петербургу и «Почтой России» при заказе из других городов. Возможен самовывоз.

Ваша корзина пуста. Для оформления заказа Вам необходимо добавить товары в корзину с помощью соответствующей кнопки.

ВНИМАНИЕ!



МЫ В СОЦИАЛЬНЫХ СЕТЯХ: